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IMW120R350M1HXKSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IMW120R350M1HXKSA1 |
| Beschreibung: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolSiC™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | +23V, -7V |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| Verlustleistung (Max.) | 60W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-3-41 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.3nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 182pF @ 800V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Auf Lager 90 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.71 | $8.54 | $8.37 |
Minimale: 1
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