IMZ120R090M1HXKSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IMZ120R090M1HXKSA1 |
Beschreibung: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolSiC™ |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | +23V, -7V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-4 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
Verlustleistung (Max.) | 115W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-4-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 21nC @ 18V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 707pF @ 800V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 26A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Auf Lager 99 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$15.80 | $15.48 | $15.17 |
Minimale: 1