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R6050JNZ4C13

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6050JNZ4C13
Beschreibung: NCH 600V 50A POWER MOSFET. R605
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 5mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 83mOhm @ 25A, 15V
Verlustleistung (Max.) 615W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247G
Gate Charge (Qg) (Max.) 120nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4500pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$14.80 $14.50 $14.21
Minimale: 1

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