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IMW120R220M1HXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IMW120R220M1HXKSA1
Beschreibung: COOLSIC MOSFETS 1200V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolSiC™
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) +23V, -7V
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.6mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 286mOhm @ 4A, 18V
Verlustleistung (Max.) 75W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.5nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 289pF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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