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IKD10N60RAATMA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IKD10N60RAATMA2
Beschreibung: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie TrenchStop®
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 64nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 150W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Basis-Teilenummer *KD10N60
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 14ns/192ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr) 62ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 20A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 30A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.94 $0.92 $0.90
Minimale: 1

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