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AIHD10N60RFATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | AIHD10N60RFATMA1 |
| Beschreibung: | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 150W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Testbedingung | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 12ns/168ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO252-3-313 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 20A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 30A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 72 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.92 | $0.90 | $0.88 |
Minimale: 1
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