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IKD04N60RAATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IKD04N60RAATMA1
Beschreibung: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie TrenchStop™
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 27nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 75W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Schalten der Energie 90µJ (on), 150µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 14ns/146ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Reverse Recovery Time (trr) 43ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 12A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.65 $0.64 $0.62
Minimale: 1

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