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IGD01N120H2BUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IGD01N120H2BUMA1
Beschreibung: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 8.6nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 28W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 800V, 1A, 241Ohm, 15V
Schalten der Energie 140µJ
TD (ein/aus) bei 25°C 13ns/370ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3.2A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 3.5A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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