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HGTP3N60A4D
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | HGTP3N60A4D |
| Beschreibung: | IGBT 600V 17A 70W TO220AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 21nC |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Leistung - Max | 70W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Testbedingung | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 6ns/73ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 29ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 17A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 82 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.41 | $1.38 | $1.35 |
Minimale: 1
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