IGT60R070D1ATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IGT60R070D1ATMA1 |
Beschreibung: | IC GAN FET 600V 60A 8HSOF |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolGaN™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | -10V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerSFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
Verlustleistung (Max.) | 125W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-HSOF-8-3 |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 380pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 599 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1