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IGT60R070D1ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IGT60R070D1ATMA1
Beschreibung: IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolGaN™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) -10V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 380pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 599 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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