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IPT60R028G7XTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPT60R028G7XTMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ G7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.44mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 28mOhm @ 28.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 391W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max.) 123nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4820pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1936 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$15.38 $15.07 $14.77
Minimale: 1

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