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IGLD60R070D1AUMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IGLD60R070D1AUMA1 |
| Beschreibung: | IC GAN FET 600V 60A 8SON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolGaN™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | -10V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-LDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Verlustleistung (Max.) | 114W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-LSON-8-1 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 380pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 15A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 94 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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