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SCTH90N65G2V-7
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SCTH90N65G2V-7 |
| Beschreibung: | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | +22V, -10V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Basis-Teilenummer | SCTH90 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V |
| Verlustleistung (Max.) | 330W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | H2PAK-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 157nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3300pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Auf Lager 71 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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