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FZ800R12KE3HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ800R12KE3HOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 800A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie *
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 3550W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 800A
Eingangskapazität (Cies) 56nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$155.13 $152.03 $148.99
Minimale: 1

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