Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

FS35R12W1T4BOMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FS35R12W1T4BOMA1
Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 35A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 225W
Konfiguration Three Phase Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 65A
Eingangskapazität (Cies) 2nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$38.32 $37.55 $36.80
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXYN80N90C3H1
IXYS
$33.3
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
$396.14
IXGN200N60B3
IXYS
$32.58
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
$487.08
IXGN320N60A3
IXYS
$27.12