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FZ1200R33KF2CNOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ1200R33KF2CNOSA1
Beschreibung: MODULE IGBT A-IHV190-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 14500W
Konfiguration Full Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 4.25V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2000A
Eingangskapazität (Cies) 150nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 12mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 3300V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,936.24 $1,897.52 $1,859.56
Minimale: 1

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