Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

FZ800R45KL3B5NOSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ800R45KL3B5NOSA2
Beschreibung: MODULE IGBT A-IHV130-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 9000W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -50°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.85V @ 15V, 800A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1600A
Eingangskapazität (Cies) 3.1nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 4500V

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,716.66 $1,682.33 $1,648.68
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FZ1200R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
$1664.28
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
$1641.76
MIO1200-33E10
IXYS
$1633.91
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
$1588.86
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon Technologies
$1554.13