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FF6MR12W2M1B11BOMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FF6MR12W2M1B11BOMA1
Beschreibung: MOSFET MODULE 1200V 200A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie CoolSiC™+
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Teilstatus Active
Leistung - Max 20mW (Tc)
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Module
Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 10mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.63mOhm @ 200A, 15V
Lieferanten-Gerätepaket AG-EASY2BM-2
Gate Charge (Qg) (Max.) 496nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 14700pF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Tj)

Auf Lager 15 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$304.56 $298.47 $292.50
Minimale: 1

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