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CSD86356Q5DT

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: CSD86356Q5DT
Beschreibung: SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie NexFET™
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 12W (Ta)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Lieferanten-Gerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta)

Auf Lager 500 pcs

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