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FF1200R17KE3NOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF1200R17KE3NOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 595000W
Konfiguration Single Chopper
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1200A
Eingangskapazität (Cies) 110nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,043.79 $1,022.91 $1,002.46
Minimale: 1

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