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FZ800R12KS4B2NOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FZ800R12KS4B2NOSA1
Beschreibung: MODULE IGBT A-IHM130-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 7600W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1200A
Eingangskapazität (Cies) 52nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,007.10 $986.96 $967.22
Minimale: 1

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