Image is for reference only , details as Specifications

FF100R12RT4HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF100R12RT4HOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 555W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.15V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100A
Eingangskapazität (Cies) 630nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$51.37 $50.34 $49.34
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MIXA61H1200ED
IXYS
$51.29
IXBN75N170A
IXYS
$51.21
DF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
$51.08
MII75-12A3
IXYS
$51.06
DF200R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
$50.67