Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
DF200R12W1H3B27BOMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| Beschreibung: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 375W |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 30A |
| Eingangskapazität (Cies) | 2nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 53 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $50.67 | $49.66 | $48.66 |
Minimale: 1
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