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FD900R12IP4DVBOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FD900R12IP4DVBOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1200V 900A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 5100W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 900A
Eingangskapazität (Cies) 54nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$495.77 $485.85 $476.14
Minimale: 1

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