Image is for reference only , details as Specifications

FF650R17IE4BOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FF650R17IE4BOSA1
Beschreibung: IGBT MODULE VCES 1700V 650A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 4150W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Eingangskapazität (Cies) 54nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$465.43 $456.12 $447.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FS225R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
$455.18
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
$454.83
FD900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
$454.83
VS-GB400AH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$452.02
FS225R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
$449.19