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F475R07W2H3B51BPSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: F475R07W2H3B51BPSA1
Beschreibung: MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 250W
Konfiguration Three Phase Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.55V @ 15V, 37.5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 75A
Eingangskapazität (Cies) 4.7nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$59.11 $57.93 $56.77
Minimale: 1

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