Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
F475R07W2H3B51BPSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | F475R07W2H3B51BPSA1 |
| Beschreibung: | MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 250W |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 37.5A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 75A |
| Eingangskapazität (Cies) | 4.7nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 79 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $59.11 | $57.93 | $56.77 |
Minimale: 1
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