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GSID080A120B1A5

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: GSID080A120B1A5
Beschreibung: SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie Amp+™
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 1710W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 160A
Eingangskapazität (Cies) 7nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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