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BYM300B170DN2HOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BYM300B170DN2HOSA1
Beschreibung: MOD IGBT MED POWER 62MM-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 20mW
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Eingangskapazität (Cies) 2.8nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 40µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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