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VS-GT100TP60N

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GT100TP60N
Beschreibung: IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench
Teilstatus Active
Leistung - Max 417W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 160A
Eingangskapazität (Cies) 7.71nF @ 30V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$179.02 $175.44 $171.93
Minimale: 1

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