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BUZ73A H

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BUZ73A H
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 40W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 530pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 98 pcs

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