Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IPW65R190E6FKSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IPW65R190E6FKSA1 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 151W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 73nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1620pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 52 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
