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BSZ0910NDXTMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | BSZ0910NDXTMA1 |
| Beschreibung: | DIFFERENTIATED MOSFETS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9.5mOhm @ 9A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-WISON-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.6nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 800pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
Auf Lager 4937 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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