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BSZ0909NDXTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSZ0909NDXTMA1
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 17W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PG-WISON-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 360pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)

Auf Lager 4680 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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