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BSS127H6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSS127H6327XTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 8µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 28pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 84 pcs

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