BSF083N03LQ G
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSF083N03LQ G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-WDSON |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.3mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 18nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1800pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 56 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1