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BSF083N03LQ G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSF083N03LQ G
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.3mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1800pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta), 53A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 56 pcs

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