BSP322PL6327HTSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSP322PL6327HTSA1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 380µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 800mOhm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223-4 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 16.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 372pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 62 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1