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TPC8035-H(TE12L,QM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPC8035-H(TE12L,QM
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.2mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max.) 82nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7800pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 99 pcs

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