Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BSP295E6327
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | BSP295E6327 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 300mOhm @ 1.8A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 17nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 368pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 54 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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