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BSP123L6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSP123L6327HTSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT-223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6Ohm @ 370mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.79W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 70pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 370mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V

Auf Lager 81 pcs

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