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BSM75GAR120DN2HOSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
| Beschreibung: | IGBT 2 MED POWER 34MM-1 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Leistung - Max | 235W |
| Konfiguration | Single |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 30A |
| Eingangskapazität (Cies) | 1nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 400µA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $74.79 | $73.29 | $71.83 |
Minimale: 1
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