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VS-GB100LP120N

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GB100LP120N
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 658W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall INT-A-Pak
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200A
Eingangskapazität (Cies) 7.43nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$74.34 $72.85 $71.40
Minimale: 1

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