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BSM35GD120DN2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: BSM35GD120DN2
Beschreibung: IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 280W
Konfiguration Three Phase Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Eingangskapazität (Cies) 2nF @ 25V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 78 pcs

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Minimale: 1

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