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BSG0811NDATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: BSG0811NDATMA1
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie OptiMOS™
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PG-TISON-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A, 41A

Auf Lager 39 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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