Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BSO615NGHUMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | BSO615NGHUMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Basis-Teilenummer | BSO615 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-DSO-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 20nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 380pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.6A |
Auf Lager 277 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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