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BSG0810NDIATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | BSG0810NDIATMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2.5W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TISON-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 8.4nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1040pF @ 12V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A, 39A |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.04 | $1.02 | $1.00 |
Minimale: 1
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