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FDMD8900

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDMD8900
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V POWER
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 2.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 12-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 19A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 12-Power3.3x5
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2605pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A, 17A

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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