FDMD8900
Hersteller: | ON Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | FDMD8900 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V POWER |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Leistung - Max | 2.1W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 12-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4mOhm @ 19A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | 12-Power3.3x5 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 35nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2605pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A, 17A |
Auf Lager 61 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1