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RSS090P03FU6TB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RSS090P03FU6TB
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4000pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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