Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

BSC320N20NS3GATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC320N20NS3GATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 32mOhm @ 36A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2350pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SIR880DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TPW4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FDMS86163P
ON Semiconductor
$0
FDMS037N08B
ON Semiconductor
$0