Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TPW4R008NH,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPW4R008NH,L1Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-DSOP Advance
Gate Charge (Qg) (Max.) 59nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5300pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 84 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDMS86163P
ON Semiconductor
$0
FDMS037N08B
ON Semiconductor
$0
BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0