BSC0923NDIATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | BSC0923NDIATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TISON-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 10nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1160pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 17A, 32A |
Auf Lager 52 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.46 | $0.45 | $0.44 |
Minimale: 1